VND7NV04-E

型号： VND7NV04-E

品牌： ST(意法半导体)

封装： TO-252-3

包装：编带

包装数量： 2500

数量： 0

描述： 1个N沟道耐压:40V

参数：类型:1个N沟道,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):60W,工作温度:-55℃~+150℃

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