STB12NM50ND

型号： STB12NM50ND

品牌： ST(意法半导体)

封装： TO-263-2

包装：编带

包装数量： 1000

数量： 0

描述： 1个N沟道耐压:500V 电流:11A

参数：类型:1个N沟道,漏源电压(Vdss):500V,连续漏极电流(Id):11A,耗散功率(Pd):100W

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