SCT10N120

型号： SCT10N120

品牌： ST(意法半导体)

封装： HiP-247

包装：管装

包装数量： 30

数量： 0

描述： SCT10N120

参数：沟道类型:1个N沟道,漏源击穿电压(Vds):1200V,连续漏极电流(Id):12A,耗散功率(Pd):150W

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