SCTL35N65G2V

型号： SCTL35N65G2V

品牌： ST(意法半导体)

封装： VDFN-8-Power

包装：编带

包装数量： 3000

数量： 0

描述： SCTL35N65G2V

参数：沟道类型:1个N沟道,漏源击穿电压(Vds):650V,连续漏极电流(Id):40A,耗散功率(Pd):417W

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