MJD122-1

型号： MJD122-1

品牌： ST(意法半导体)

封装： TO-251-3

包装：管装

包装数量： 75

数量： 0

描述： MJD122-1

参数：类型:NPN,集射极击穿电压(Vceo):100V,直流电流增益(hFE):1000,耗散功率(Pd):20W

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