MJD112T4

型号： MJD112T4

品牌： ST(意法半导体)

封装： TO-252

包装：编带

包装数量： 2500

数量： 0

描述：互补硅功率达林顿晶体管

参数：类型:NPN,集射极击穿电压(Vceo):100V,直流电流增益(hFE):1000,耗散功率(Pd):20W

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